ستصل ذاكرة nand ثلاثية الأبعاد إلى 120 طبقة في عام 2020

تحدث Sean Kang من Applied Materials عن الأجيال القادمة من 3D NAND Flash في ورشة عمل الذاكرة الدولية (IMW) في اليابان. تقول خارطة الطريق أن عدد الطبقات في هذا النوع من الذاكرة يجب أن يرتفع إلى أكثر من 140 ، في نفس الوقت الذي يجب أن تكون فيه الرقائق أرق.

ستمكن التطورات في ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد 120 تيرابايت SSDs

في ذاكرة 3D NAND ، لا تكون خلايا الذاكرة على مستوى واحد ، ولكن على عدة طبقات فوق بعضها البعض. بهذه الطريقة ، يمكن زيادة سعة التخزين لكل شريحة (صفيف) بشكل كبير دون الحاجة إلى زيادة مساحة الشريحة أو تضطر الخلايا إلى الانكماش. قبل ما يقرب من خمس سنوات ، ظهر أول 3D NAND ، الجيل الأول من V-NAND من سامسونج الذي يحتوي على 24 طبقة. في الجيل التالي ، تم استخدام 32 طبقة ، ثم 48 طبقة. في الوقت الحالي ، وصلت معظم الشركات المصنعة إلى 64 طبقة ، ويتقدم SK Hynix بـ 72 طبقة.

نوصي بقراءة منشوراتنا حول أفضل محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة في الوقت الحالي SATA و M.2 NVMe و PCIe (2018)

تتحدث خارطة الطريق لهذا العام عن أكثر من 90 طبقة ، وهو ما يعني زيادة بأكثر من 40 بالمائة. في الوقت نفسه ، يجب أن يزيد ارتفاع مجموعة التخزين بحوالي 20٪ فقط ، من 4.5 ميكرومتر إلى حوالي 5.5. هذا لأنه في نفس الوقت ، يتم تقليل سمك الطبقة من حوالي 60nm إلى حوالي 55nm. تعد التعديلات التي تم إجراؤها على تصميم خلية الذاكرة وتقنية CMOS Under Array (CUA) المستخدمة بالفعل من قبل Micron في عام 2015 ميزات رئيسية لهذا الجيل.

ترى خارطة طريق كانغ الخطوة التالية لـ 3D NAND في أكثر من 120 طبقة ، وهو شيء يجب تحقيقه بحلول عام 2020. بحلول عام 2021 ، من المتوقع وجود أكثر من 140 طبقة وارتفاع التراص البالغ 8 ميكرون ، مما يتطلب استخدام مواد جديدة. لا تعالج خريطة الطريق سعات التخزين.

في الوقت الحالي ، وصلت الشركات المصنعة إلى 512 جيجابت لكل مصفوفة بتقنية 64 طبقة. مع 96 طبقة 768 جيجابت سيتم تحقيقه مبدئيًا و 128 طبقة أخيرًا 1024 جيجابت ، لذا من الممكن استخدام قرص واحد. يمكن أيضًا لتقنية QLC رباعي البتات لكل خلية تمكين رقائق terabit ببنية 96 طبقة. تريد شركة Samsung تحقيق ذلك مع الجيل الخامس من V-NAND وتقديم أول أقراص SSD بسعة 128 تيرابايت على هذا الأساس.

خط Techpowerup