تصنع Samsung بالفعل ذكريات hbm2 من 8 gb إلى 2.4 gbps

اتخذت شركة Samsung خطوة جديدة رئيسية في تقنية الذاكرة المكدسة ذات النطاق الترددي العالي ، والمعروفة باسم HBM. بدأت الشركة الكورية بالفعل الإنتاج الضخم من الجيل الثاني من حزم الذاكرة HBM2 بسعة 8 جيجابايت بسرعة 2.4 جيجابت في الثانية.

سامسونج تبدأ إنتاج الجيل الثاني HBM2

أفادت شركة Samsung أنها بدأت بالفعل في تصنيع شرائح ذاكرة HBM2 من الجيل الثاني ، وهي تأتي بسعة 8 جيجابايت لكل حزمة ، وتردد تشغيل فعال يبلغ 2.4 جيجابت في الثانية لتسريع قدرات الجيل التالي من الحوسبة الفائقة القائمة على GPU.

Stratix 10MX FPGA هو أول معالج Intel مزود بذاكرة HBM2

تعمل ذاكرة HBM2 الجديدة من الجيل الثاني بجهد 1.2 فولت ، مما يسمح بكفاءة أكبر في استخدام الطاقة مقارنة بالجيل الأول HBM2 الذي استخدم نفس الجهد ، ولكنه وصل فقط إلى معدل 1.6 جيجابت في الثانية. وبفضل هذا ، فإن مجموعة واحدة من هذه الذاكرة الجديدة تحقق عرض نطاق ترددي يبلغ 307 جيجابايت / ثانية ، وهو ما يزيد تقريبًا عن عشر مرات من ذاكرة GDDR5 التي تم استخدامها في السنوات الأخيرة في جميع بطاقات الرسومات تقريبًا في السوق.

ولتحقيق ذلك ، تم استخدام تقنية TSV (من خلال Silicon Via) لإجراء أكثر من 5000 اتصال لكل قالب ، وهو أمر لم يكن من السهل تحقيقه بنجاح في مثل هذه الحزمة الصغيرة ويظهر قيادة سامسونج.

وبهذه الطريقة ، تتيح Samsung جيلًا جديدًا من بطاقات الرسومات مع عرض نطاق ذاكرة يصل إلى 1.2 تيرابايت / ثانية ، مما سيزيد من قدراتها بشكل كبير. في الوقت الحالي ، لا يُتوقع أن تستخدم بطاقات الألعاب هذه التقنية الجديدة ، حيث ينتظرها GDDR6.

خط Techpowerup