أعلنت Samsung و arm عن تعاون مهم مع 7/5 nm finfet

أعلنت شركتا Samsung و ARM عن توسيع تعاونهما مع عملية التصنيع المتقدمة إلى 7/5 نانومتر FinFET ، مما يتيح لهما البقاء في صدارة المنافسة في الحوسبة عالية الأداء.

أطلقت Samsung و ARM تعاونًا هامًا مع 7 و 5 nm FinFET من الشركة الكورية الجنوبية

تأمل Samsung و ARM أن يقودهما هذا التعاون إلى بدء إنتاج المعالجات استنادًا إلى بنية ARM Cortex-A76 القادرة على العمل بأكثر من 3GHz. يعد التعاون بين Samsung و ARM في مجالات حلول IP أمرًا بالغ الأهمية لزيادة قوة الحوسبة عالية الأداء وتسريع نمو قدرات الذكاء الاصطناعي وتعلم الآلة.

نوصيك بقراءة منشورنا على Apple و Samsung لإنهاء نزاعاتهم القانونية بعد سبع سنوات

ستستفيد الشركتان من تقنيات المعالجة 7nm Low Power Plus (7LPP) و 5 nm Low Power Early (5LPE) من سامسونج. يجب أن تكون 7LPP جاهزة للإنتاج الأولي في النصف الثاني من عام 2018. ستوفر ARM منصة IP المادية ARM Artisan ، والتي تتضمن بنية منطقية عالية الدقة ، ومجموعة كاملة من جامعي الذاكرة ، ومكتبات GPIO 1.8V و 3.3V.

تعاونت كل من ARM و Samsung على عدد كبير من الرقائق باستخدام IP الفعلي Artisan في تقنيات معالجة Samsung. تعد عقدتا 7LPP و 5 LPE من سامسونج تقنيات عملية مبتكرة ستفي باحتياجات عملائها المشتركين ، بدءًا من تقديم الجيل التالي من مراكز البيانات المتنقلة SoCs إلى hypccalar. ذكرت ARM في مايو أنها ستجلب أجهزة الكمبيوتر المحمولة Cortex-A76 إلى السوق في عام 2019 والتي يمكن أن تتجاوز 3GHz.

من المفترض أن يتيح لنا هذا التعاون المهم بين Samsung و ARM الاستمتاع بجيل جديد من الأجهزة المحمولة بقدرات محسنة بشكل كبير.