يتحدث رامبوس عن خصائص ذاكرة ddr5

قبل بضعة أيام تلقينا التفاصيل الأولى لتقنية الذاكرة المكدسة عالية الأداء الجديدة HBM3 ، والآن نقدم لك تفاصيل DDR5 الجديدة التي ستصل خلال السنوات القليلة القادمة للأجيال الجديدة من المعالجات.

سيصل DDR5 إلى 4800 ميجاهرتز عند 1.2 فولت

أصدرت RAMBUS الخصائص الأولى لذاكرة DDR5 المستقبلية التي وصلت بالفعل إلى مرحلة متقدمة إلى حد ما من تطورها ، وستصل هذه الذكريات الجديدة بتردد أساسي يبلغ حوالي 4800 ميجاهرتز حتى تكون دفعة جيدة مقارنةً بالذاكرة DDR4 الحالية ، يمكننا القول أن DDR5 الأبطأ سيكون أسرع بأسرع DDR4 تقريبًا.

مع مرور السنين ، ستكتسب DDR5 الجديدة هذه الفوائد كما يحدث مع جميع الأجيال ، وقد يكون سقفها قريبًا من 6400 ميجاهرتز ، وهو ما يترجم إلى عرض نطاق أقصى يبلغ 51.2 جيجابايت / ثانية ، مضاعفة 25.6 جيجابايت / ثانية التي تم تحقيقها باستخدام تقنية DDR4 الحالية.

ولجعل كل هذا ممكنًا ، تم الالتزام بقوة بتحسين كفاءة الطاقة ، وستتمكن DDR5 من الوصول إلى 4800 ميجاهرتز بجهد 1.2 فولت فقط ، وهو تحسن مهم مقارنة بـ 1.5 فولت التي يحتاجها DDR4 الحالي لتحقيقه 4600 ميجاهرتز وأخيرًا نسلط الضوء على أنه سيتم رفع السعة القصوى لكل وحدة إلى 128 جيجابايت حتى نتمكن من رؤية تكوينات 512 جيجابايت باستخدام أربع وحدات فقط.

ستصل ذكريات DDR5 الأولى طوال عام 2019 مع عملية تصنيع عند 10 نانومتر ، ثم تنتقل إلى 7 نانومتر الأكثر كفاءة.

خط Techpowerup