يتحدث ميكرون عن الاستراحة مع إنتل فيما يتعلق بالناند

تحدث ميكرون عن سبب الانفصال مع إنتل فيما يتعلق بالتعاون في تطوير ذاكرة NAND. في يناير الماضي ، أعلنت Intel و Micron أن اتحادهما في تطوير ذاكرة NAND يقترب من نهايتهما ، وتخطط الشركتان لمواصلة تطوير تقنية NAND بشكل مستقل.

ستراهن ميكرون على تقنية Charge-Trap لتصنيع رقائق NAND

كان السبب وراء هذا الانفصال غير معروف حتى الآن ، على الرغم من أن كل شيء يشير إلى أن Intel و Micron أرادتا أخذ تقنية NAND في اتجاهات منفصلة. تستخدم Micron و Intel تقنية Floating Gate NAND ، وهي تقنية إنتاج يروجون لها على أنها متفوقة على طراز Charge-Trap ، الذي تستخدمه جميع الشركات المصنعة الأخرى تقريبًا مثل Samsung و SK Hynix و Western Digital و Toshiba. بالتطلع إلى الجيل الرابع ، تخطط Micron للتبديل إلى Charge-Trap ، تاركة Intel باعتبارها الداعم الوحيد لتقنية Floating Gate.

نوصي بقراءة منشوراتنا حول أفضل محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة في الوقت الحالي SATA و M.2 NVMe و PCIe (2018)

حتى الآن ، كان ميكرون متشككًا في طول عمر ذاكرة NAND 3D Charg-Trap ، وتوقع أن البيانات قد تُفقد بعد ستة أشهر بدون كهرباء. لذلك لم يعتقد ميكرون أن NAND التي تم تطويرها باستخدام Charge-Trap كانت قابلة للاستخدام كوسيط تخزين غير متطاير طويل الأمد. تستخدم معظم الشركات المصنعة حاليًا Charge-Trap دون أي علامات على مشاكل فقدان البيانات ، لذلك قررت ميكرون تبني هذه التكنولوجيا التي رفضتها حتى الآن.

على الرغم من هذا الانفصال ، تواصل الشركتان العمل معًا على تطوير ذاكرة XPoint ، مع خطط لمواصلة تطوير التكنولوجيا كوسيلة تخزين غير متقلبة ، وكبديل لـ DRAM في تطبيقات محددة.

خط Overclock3d