Kioxia تظهر خليفة محتمل لـ nand 'twin bics flash'

أنشأت Kioxia ، المعروفة سابقًا باسم Memory Toshiba ، خليفة لذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد ، والتي توفر كثافة تخزين أعلى مقارنة بفلاش NAND من QLC.

تقوم Kioxia بتصميم تقنية Twin BiCS Flash ، وكثافة ذاكرة NAND

هذه التقنية الجديدة ، التي تم الإعلان عنها يوم الخميس ، تسمح لشرائح الذاكرة بالحصول على خلايا أصغر ومزيد من التخزين لكل خلية ، مما يمكن أن يزيد بشكل كبير من كثافة الذاكرة لكل خلية.

أعلنت Kioxia عن أول " هيكل خلية ذاكرة فلاش مقسمة نصف دائري ثلاثي الأبعاد في العالم" في العالم ، يسمى Twin BiCS Flash. هذا يختلف عن منتج Kioxia الآخر ، BiCS5 Flash. يستخدم BiCS5 Flash خلايا اعتراض شحنة دائرية ، بينما يستخدم Twin BiCS Flash خلايا بوابة عائمة نصف دائرية. يوسع الهيكل الجديد نافذة برمجة الخلية ، على الرغم من أن الخلايا أصغر ماديًا مقارنة بتقنية التصوير المقطعي المحوسب.

يعد Twin BiCS flash حاليًا أفضل خيار للنجاح باستخدام تقنية NAND من QLC ، على الرغم من أن التنفيذ المستقبلي لهذه الشريحة لا يزال غير معروف. تزيد هذه الشريحة الجديدة بشكل كبير من تخزين الذاكرة المحمولة ، والتي كانت مشكلة كبيرة للمصنعين ، على الرغم من وجود ثلاث مدارس فكرية حاليًا حول كيفية إصلاح ذلك.

أحد الخيارات هو زيادة عدد الطبقات. وافق المصنعون مؤخرًا على شرائح فلاش NAND 96 طبقة وحصلوا على رقائق فلاش NAND 128 طبقة. هناك طريقة أخرى لزيادة كثافة تقنية فلاش NAND وهي تقليل حجم الخلايا ، مما يسمح بوضع المزيد من الخلايا في طبقة واحدة.

قم بزيارة دليلنا حول أفضل محركات أقراص SSD في السوق

الطريقة الأخيرة لزيادة كثافة ذاكرة NAND هي تحسين إجمالي البت لكل خلية ، وهو الأكثر استخدامًا من قبل الشركات المصنعة. لقد سمحت لنا هذه الطريقة بالحصول على SLC و MLC و TLC ، وأحدثها QLC NAND ، مما يزيد من عدد البتات لكل خلية بمقدار واحد مقارنة بالتقنية السابقة.

لا تزال هذه التقنية الأحدث ، Twin BiCS Flash ، في مرحلة البحث والتطوير وهي على بعد سنوات عديدة من تنفيذها. على الرغم من أن شرائح فلاش NAND من BiCS5 من المقرر أن تصل إلى السوق في عام 2020 ، تمكنت الشركات المصنعة ، SK Hynix و Samsung من تجاوز 100 طبقة في أوائل عام 2019 ، مع رقائق NAND رباعية الأبعاد 128 طبقة و V-NAND v6.

خط Wccftech